獨(dú)石電容、瓷片電容、陶瓷電容都是常見的電容元器件之一，獨(dú)石電容比較穩(wěn)定，問溫漂系數(shù)小，電容值可以做到1uF，壽命長，等效直流電阻小。

　 瓷片電容的高頻特性好，但電容值只能做到0.1uF。瓷片電容也屬于陶瓷電容的一種，陶瓷電容是總稱。瓷片電容是一種用陶瓷材料作介質(zhì)，在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜，再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后作為電極而成的電容器。通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路、旁路電容器及墊整電容器。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿。

　　而陶瓷電容用用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿。

　　瓷片電容

瓷片電容、獨(dú)石電容、陶瓷電容的區(qū)別

　　瓷片電容（ceramiccapacitor）是一種用陶瓷材料作介質(zhì)，在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜，再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后作為電極而成的電容器。通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路、旁路電容器及墊整電容器。瓷片電容分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿。

　　優(yōu)點(diǎn)：穩(wěn)定，絕緣性好，耐高壓

　　缺點(diǎn)：容量比較小

　　獨(dú)石電容

瓷片電容、獨(dú)石電容、陶瓷電容的區(qū)別

　　獨(dú)石電容是多層陶瓷電容器的別稱，英文名稱monolithic ceramic capacitor或multi-layer ceramic capacitor， 簡稱MLCC，根據(jù)所使用的材料，可分為三類。

　　一類為溫度補(bǔ)償類NPO電介質(zhì)這種電容器電氣性能穩(wěn)定，基本上不隨溫度、電壓、時(shí)間的改變，屬超穩(wěn)定型、低損耗電容材料類型，適用在對穩(wěn)定性、可靠性要求較高的高頻、特高頻、甚高頻電路中。

　　二類為高介電常數(shù)類X7R電介質(zhì)由于X7R是一種強(qiáng)電介質(zhì)，因而能制造出容量比NPO介質(zhì)更大的電容器。這種電容器性能較穩(wěn)定，隨溫度、電壓時(shí)間的改變，其特有的性能變化并不顯著，屬穩(wěn)定電容材料類型，使用在隔直、耦合、傍路、濾波電路及可靠性要求較高的中高頻電路中。

　　三類為半導(dǎo)體類Y5V電介質(zhì)這種電容器具有較高的介電常數(shù)，常用于生產(chǎn)比容較大、標(biāo)稱容量較高的大容量電容器產(chǎn)品。但其容量穩(wěn)定性較X7R差，容量、損耗對溫度、電壓等測試條件較敏感，主要用在電子整機(jī)中的振蕩、耦合、濾波及旁路電路中。

　　特點(diǎn)：溫度特性好，頻率特性好。一般電容隨著頻率的上升，電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律，獨(dú)石電容下降比較少，容量比較穩(wěn)定。

　　陶瓷電容

瓷片電容、獨(dú)石電容、陶瓷電容的區(qū)別

　　陶瓷電容用用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內(nèi)〉。