簡介：陶瓷電容是有兩個端子的非極性元件。早期z常使用陶瓷電容是碟型電容器，比晶體管問世的時間要早，在1930年代到1950年代就應(yīng)用在許多的真空管設(shè)備（如廣播接收器）中，后來陶瓷電容也廣泛使用在晶體管設(shè)備中。至2007年止，由于陶瓷電容相較于其他低容值電容的高容量及低成本優(yōu)勢，陶瓷電容仍廣泛使用在各種電子設(shè)備中。陶瓷電容器是以陶瓷為介電質(zhì)的電容器。其結(jié)構(gòu)是由二層或更多層交替出現(xiàn)的陶瓷層和金屬層所組成，金屬層連結(jié)到電容器的電極。

陶瓷材料的成分決定了陶瓷電容器的電氣特性及其應(yīng)用范圍，依穩(wěn)定性可分為以下三類：

類別一：有高穩(wěn)定性和低損失，適用于諧振電路的應(yīng)用。 

類別二： 容積效率高，但穩(wěn)定性及準(zhǔn)確度較差，適用于緩沖、解耦及旁路電路。 

類別三： 容積效率更高，但其穩(wěn)定性及準(zhǔn)確度更差。

多層陶瓷電容的失效原因分為外部因素和內(nèi)在因素

內(nèi)在因素一：陶瓷介質(zhì)內(nèi)空洞--導(dǎo)致空洞產(chǎn)生的主要因素為陶瓷粉料內(nèi)的有機或無機污染，燒結(jié)過程控制不當(dāng)?shù)??？斩吹漠a(chǎn)生極易導(dǎo)致漏電，而漏電又導(dǎo)致器件內(nèi)部局部發(fā)熱，進一步降低陶瓷介質(zhì)的絕緣性能從而導(dǎo)致漏電增加。該過程循環(huán)發(fā)生，不斷惡化，嚴(yán)重時導(dǎo)致多層陶瓷電容器開裂、爆炸，甚至燃燒等嚴(yán)重后果。

內(nèi)在因素二：燒結(jié)裂紋--燒結(jié)裂紋常起源于一端電極，沿垂直方向擴展。主要原因與燒結(jié)過程中的冷卻速度有關(guān)，裂紋和危害與空洞相仿。

內(nèi)在因素三：分層 --多層陶瓷電容器（MLCC）的燒結(jié)為多層材料堆疊共燒。燒結(jié)溫度可以高達(dá)1000℃以上。層間結(jié)合力不強，燒結(jié)過程中內(nèi)部污染物揮發(fā)，燒結(jié)工藝控制不當(dāng)都可能導(dǎo)致分層的發(fā)生。分層和空洞、裂紋的危害相仿，為重要的多層陶瓷電容器內(nèi)在缺陷。 

外在因素一：溫度沖擊裂紋--主要由于器件在焊接特別是波峰焊時承受溫度沖擊所致，不當(dāng)返修也是導(dǎo)致溫度沖擊裂紋的重要原因。 

外在因素二：機械應(yīng)力裂紋--多層陶瓷電容器的特點是能夠承受較大的壓應(yīng)力，但抵抗彎曲能力比較差。器件組裝過程中任何可能產(chǎn)生彎曲變形的操作都可能導(dǎo)致器件開裂。常見應(yīng)力源有：貼片對中，工藝過程中電路板操作；流轉(zhuǎn)過程中的人、設(shè)備、重力等因素；通孔元器件插入；電路測試、單板分割；電路板安裝；電路板定位鉚接；螺絲安裝等。該類裂紋一般起源于器件上下金屬化端，沿45℃角向器件內(nèi)部擴展。該類缺陷也是實際發(fā)生z多的一種類型缺陷。

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